فیلم نانوورقهای گرافنی به روش رسوب پالسمای الکترولیتی

71 مجل م اد و يه/ جلد 7 /شمار 2/ زمستان 5931 فیلم نانوورقهای گرافنی به روش رسوب پالسمای الکترولیتی 2 1 1* 1 آػی حثیثی ػیذ هحوذ ه ػ ی خ ئی فشصاد هحث تی اهیشخاوضاد چکیده دس ایي پظ ؾ س ؽ پالػوای الىتش لیتی ت ػ اى یىی اص خذیذتشیي فشای ذ ای پ ؿؾد ی ػغح تشای ایداد پ ؿؾ ا سق گشاف ی تش صیشالی یىل ه سد هغالؼ لشاس گشفت. دس ایي س ؽ تا اػوال لتاط تاال تیي د الىتش د تا ؼثت ػغح هتفا ت دس هحل ل پالػوا دس اعشاف واتذ ایداد هیؿ د دس یه هشحل دس هذت صهاى تؼیاس و تا دس فاس اتوؼفش ا سق گشافي اص الىتش لیت حا ی اتا ل ت ػ اى پیؾهاد وشت ی ت ی ؿذ تش صیشالی یىل سػ ب هیو ذ. ویفیت ایي پ ؿؾ تا اػتفاد اص عیفػ دی ساهاى تل یش هیىش ػى ج الىتش ی ػث سی ه سد تشسػی لشاس گشفت اػت. ؿذت هحل تا ذ ا دس عیف ساهاى ایداد پ ؿی اص ا سق ای گشافي ت ست اػتشاتیه تا حذاوثش 10 الی سا تاییذ هیو ذ. افضایؾ دس صهاى فشای ذ ه دش ت افضایؾ هحذ دی دس تؼذاد الی ای گشاف ی وا ؾ دس ػی ب ػاختاسی آى ا هیؿ د. نچ یي دس تشسػی تاثیش ع ل ه ج لیضس ت ییح ساهاى تش ؿذت هىاى تا ذ ای ها ذ ؿذ دس عیف ساهاى ایي و ا تا اػتفاد اص ساهاى تا د ع ل ه ج لیضس 785 nm 633 nm افضایؾ دس ؿذت پشاو ذگی تا ذ ای هشتث ا ل ساهاى ها ذ تا ذ ای G D وا ؾ دس ؿذت پشاو ذگی هشتث د م ها ذ تا ذ ای ''D 2D ها ذ ؿذ. اط ای ولیذی: فیلن ا سق گشافي پالػوای الىتش لیتی واتذی عیف ػ دی ساهاى. 1- دانشگبه صنعتی امیرکبیر تهران دانشکده مهندسی معدن و متبلورژی تهران ایران 2- کبرشنبسی ارشد پژوهشکده صنبت تهران *-نویسنده مسئول مقبله: mmousavi@aut.ac.ir

فیلم واو يرق ای گرافىی ب ريش رس ب پالسمای الکتريلیتی 67 پیشگفتار ت ث د دس س ؽ ای ت لیذ واستشد ای گشافي ت ػ اى ػاختاس ته الی گشافیتی دس ػال ای اخیش تؼیاس ه سد ت خ هحمماى لشاس گشفت اػت. خ اف فیضیىی هىا یىی خالة ت خ دس ایي هاد تؼیاسی اص واستشد ا فشا ن وشد اػت= 1 اهىاى اػتفاد اص آى سا دس.<2 اص صهاى وف گشافي س ؽ ای تؼیاسی تشای ػ تض آى ه سد تشسػی لشاس گشفت اػت. دس ت ی گشافي ت س ؽ ای هتفا ت ویفیت تاال لاتلیت ت لیذ هدذد دس همیاع ا ث تا ضی ون ا ویت تؼیاسی داسد= 3 4>. تؼذاد الی ای گشاف ی ت ن چؼثیذ دس ػاختاس اص خول ػ اهل تاثیشگزاس تش خ اف گشافي واستشد آى اػت. گشافي ته الی یه سق د تؼذی ت ضخاهت یه اتن اص اتن ای 3 وشتي اػت= 5 >. گشافي د الی 5 گشافي ت تشتیة گشافي تا 2 4 ون الی 10 تا 3 یا ا سق سق د تؼذی ؼت ذ. ػاختاس گشافي ؿاهل تیؾ اص 10 الی سق 7 6 د تؼذی تا ام سق گشافي ضخین یا ا كفحات گشافي تؼشیف هیؿ د= 2 >. س ؽ اوؼیذاػی ى احیای ؿیویایی دس ت ی گشافي ػلیسغن صهاىتش ت دى ػ تض تا ویفیت ون ت دلیل ضی ت لیذ ون لاتلیت ت لیذ دس همیاع ا ث تؼیاس ه سد اػتفاد لشاس هیگیشد= 6 >. اػتفاد اص پالػوا دس س ؽ ایی ها ذ سػ ب ؿیویایی اص فاص تخاس ت 9 ووه پالػوا ) 8 (PECVD تخلی ل ع الىتشیىی ه دش ت ت لیذ گشافي تا ویفیت هغل ب صهاى و تا ی اها هیؿ د ایي س ؽ ا ت ػلت اػتفاد اص تد یضات گشاىلیوت لض م اػتفاد اص خالء هحذ د هیؿ ذ= 7.<8 اػتفاد اص پالػوا دس هحیظ هایغ هیت ا ذ تا حزف لض م اػتفاد اص خالء ضی ت لیذ سا ون و ذ. ت اتشایي سق ای گشاف ی ت ك ست پ دس )تذ ى اتلال ت صیشالی ( تا اػتفاد اص پالػوا دس الىتش لیت دس فاس اتوؼفش دهای ون دس صهاى تؼیاس و تا ی ت ی ؿذ ذ= 9 10>. ت ی فیلن گشاف ی یاص دیگشی اص ك ؼت دس صهی ه اتغ ش هیذاى فیلن ادی ؿفاف ت د و تا اػتفاد اص س ؽ ای سػ ب ا ی دس هحیظ هایغ ها ذ اػتفاد اص 10 س ؽ الىتش ف ستیه ه سد تشسػی لشاس گشفت= 11 >. دس ایي س ؽ تشای ت ی پ ؿؾ گشاف ی تایذ دس اتتذا گشافي ت س ؽ اوؼیذاػی ى ؿیویایی ت ی ؿ د ػپغ س ی ػغح سػ ب داد ؿ د و ه دش ت صهاىتش ت دى آى هیگشدد. دس ایي پظ ؾ اص س ؽ پالػوای الىتش لیتی واتذی 11 (CPE) تشای آهاد ػاصی گشافي ت ی فیلن گشاف ی اػتفاد ؿذ اػت. پالػوای الىتش لیتی یه فشای ذ الىتش ؿیویایی تا اػتفاد اص لتاط تاالػت و ه دش ت ایداد پالػوا دس فاس اتوؼفش هیؿ د. ایي فشای ذ ت ؿىل واتذی هیت ا ذ ه دش ت ت ی پ ؿؾ ایی اص ػاختاس ای وشت ی اوؼیذی یا پ ؿی اص فلضات هختلف تش س ی ػغح ؿ د =12>. تاو ى سػ ب ت س ؽ پالػوای الىتش لیتی واتذی تغییشات لتاط خشیاى دس عی افضایؾ لتاط دس ایي فشای ذ ت ػظ تشخی اص هحمماى تشسػی ؿذ اػت= 12 13>. تا اػتفاد اص ایي س ؽ دس یه هشحل دس صها ی ونتش اص یه گشاف ی تش صیشالی یىل ت ی هیؿ د. مواد و روشها فیلن اصن دلیم فیلن اصوی اص ا سق ای ا سق ای گشاف ی تا اػتفاد اص س ؽ پالػوای الىتش لیتی واتذی تا اػتفاد اص هحل ل دسكذی اتا ل ت ػ اى الىتش لیت ت ی ؿذ. ؿواتیىی اص فشای ذ سا اى هید ذ. ؿىل 85 1 تا ت خ ت ذایت الىتشیىی تؼیاس پاییي اتا ل 0/3 دسكذ ص ی یذس وؼیذ ػذین تشای افضایؾ ذایت هحل ل اضاف ؿذ. دس ایي 2 فشای ذ اص سق یىل تا هؼاحت ػغح 8 cm ت ػ اى واتذ گشافیت تا ػغح د تشاتش تضسيتش ت ػ اى آ ذ اػتفاد ؿذ. ؼثت تیؾتش ػغح آ ذ ؼثت ت واتذ ه دش ت هتوشوض ؿذى دا ؼیت خشیاى دس اعشاف واتذ ایداد پالػوا هیؿ د. لتی ت الىتش د ا ت ی ؿذ. فیلن اصن گشافي تا اػوال لتاط 500 10- Electrophoretic Deposition 11- Cathodic Plasma Electrolytic 3- Bi-layer Graphene 4- Few-layer Graphene 5- Graphene Nano-sheets 6 -Thick Graphene Sheet 7- Graphene Nano-platelet 8- Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 9- Arc Discharge

77 مجل م اد و يه/ جلد 7 /شمار 2/ زمستان 5931 ؿىل 1- ؿواتیه فشای ذ پالػوای الىتش لیتی واتذی ه سد اػتفاد تشای ت ی پ ؿؾ گشاف ی خ ت تشسػی اثش صهاى تش تؼذاد الی ای گشافي فشای ذ دس د صهاى 5 1 دلیم ا دام ؿذ. دس اداه ایي و ا ت تشتیة تا ام ای و 1 و 2 ام تشد دلیل ت هیؿ ذ. تثخیش ػشیغ اتا ل دس عی فشای ذ هحل ل تاص ت ك ست پی ػت افض د ؿذ. هیىش ػى ج الىتش ی س تی هیىش ػى ج الىتش ی س تی اثش هیذا ی 12 (SEM) (FESEM) 13 خ ت تشسػی ه سف ل طی ػغح چی ؾ سق ای گشاف ی تش ػغح ضخاهت فیلن سػ ب وشد ه سد اػتفاد لشاس گشفت ذ. نچ یي عیف ػ دی ساهاى تشای تشسػی ػاختاس وشت ی پ ؿؾ ویفیت تؼذاد اػتفاد ت ه ظ س لشاس گشفت. الی ای گشاف ی ه سد تشسػی اثش ا شطی لیضس دس عیف ساهاى دس ساػتای ؿ اػایی ػاختاس اص لیضس تا ع ل ه ج 785 633 ا هتش ت تشتیة تا لذست 6 mw 21 mw تشای ت ییح عیف ساهاى اػتفاد ؿذ. نتایج و بحث دس ساػتای دسن ت تش فشای ذ تغییشات خشیاى- لتاط دس ایي فشای ذ تا اختلاس ؿشح داد هیؿ د. ؿىل 2 تغییشات خشیاى تا افضایؾ لتاط سا دس ایي پظ ؾ اى هید ذ. دس اتتذا تا اػوال لتاط تیي الىتش د ا خشیاى یض افضایؾ هییاتذ )ؿىل 2 الف-ب(. دس ایي هشحل دهای صیشالی الىتش لیت تشاػاع لا ى ط ل تا افضایؾ خشیاى افضایؾ هییاتذ. ؼثت 10 تشاتشی ػغح دس تواع تا الىتش لیت دس آ ذ ؼثت ت واتذ ه دش ت افضایؾ دا ؼیت خشیاى دس واتذ ؿذ دهای الىتش لیت دس هدا ست آى ت ك ست ه ضؼی تؼیاس ػشیغ افضایؾ یافت ه دش ت سػیذى آى ت دهای تثخیش ایداد حثاب دس هدا ست واتذ هیؿ د. الی ای اص صیشالی آى دس اعشاف حثاب تىیل سا ػایك وشد ت اتشایي افضایؾ تیؾتش دس لتاط ت ا افضایی دس خشیاى سا ت وشا خ ا ذ داؿت تلى ه دش ت وا ؾ اگ ا ی دس خشیاى هیؿ د. وا ؾ دس خشیاى تا افضایؾ تیؾتش دس لتاط ضخینتش ؿذى ایي الی ػایك حثاب اداه پیذا هیو ذ )ؿىل 2 ب-ج(. تا سػیذى لتاط ت حذ تحشا ی حذاوثش ؿذى هیذاى الىتشیىی دس اعشاف واتذ ی یض ؿذى خشل ص ی دس حثاب ا ایداد ؿذ پالػوا تىیل هیؿ د )ؿىل ج(. 2 افضایؾ تیؾتش دس لتاط ه دش ت ایداد الی یى اختی اص پالػوا خشل ص ی دساعشاف واتذ هیؿ د )ؿىل 2 د- ( =12 13>. 12 -Scanning Electron Microscopy 13- Field Emission Scanning Electron Microscopy

فیلم واو يرق ای گرافىی ب ريش رس ب پالسمای الکتريلیتی 67 ؿىل -2 ه ح ی تغییشات خشیاى تا افضایؾ لتاط دس فشای ذ پالػوای الىتش لیتی تشای ایداد پ ؿؾ گشاف ی دس ایي پظ ؾ تا افضایؾ لتاط ایداد خشل دس الىتش لیت حا ی %85 اتا ل ی ى ا سادیىال ای وشت ی ایداد ؿذ ت ػوت صیشالی یىل حشوت وشد پ ؿؾ ایداد هیو ذ و دس ؿىل صهاى فشای ذ یه پ ح ها ذ 3 تل یش ػغح آى تشای د دلیم اى داد ؿذ اػت. هیؿ د و تا افضایؾ دس صهاى فشای ذ ضخاهت پ ؿؾ وشت ی افضایؾ هییاتذ ت ع سی و پغ اص گزؿت صهاى یه دلیم اص فشای ذ خشل ص ی ضخاهت پ ؿؾ ایداد ؿذ تؼیاس ون ت د دا ت ذی صیشالی یىلی لاتل ها ذ اػت. تا افضایؾ صهاى پ ؿؾد ی فیلن وشت ی ایداد ؿذ ول ػغح سا پ ؿا ذ ػغح صتشتشی سا ایداد هیو ذ. ؿىل 3- تل یش هیىش ػى ج الىتش ی س تی اص ه سف ل طی ػغح پ ؿؾ گشاف ی ایداد ؿذ دسهذت صهاى فشای ذ )الف( 1 دلیم )ب( 5 دلیم تایح تفشق اؿؼ ایىغ اص ایي پ ؿؾ تىیل ػاختاس گشافیت سا تا ها ذ پیه پ ی دس حذ د 26/5;2 تاییذ هیو ذ. ؿىل 4 تا ووه تل یش FESEM اص همغغ و چی ؾ كفحات د تؼذی وشت ی ایداد ؿذ دس اثش خشل ص ی سا تش س ی یىذیگش تشای ایداد پ ؿؾ وشت ی اى هید ذ. ها ذ هیؿ د و هحل ل ایداد ؿذ ت ك ست كفحاتی اص ػاختاس وشت ی ؼت ذ و دس تیي ػاختاس ای وشت ی ه خ د ایي ػاختاس هشت ط ت گشافیت یا گشافي چ ذالی اػت= 1 >.

73 مجل م اد و يه/ جلد 7 /شمار 2/ زمستان 5931 ؿىل 4- تل یش FESEM اص ح چی ؾ ا سق ای گشاف ی تشای تىیل پ ؿؾ عیفػ دی ساهاى یه اتضاس ه اػة تشای تخیق ػاختاس ه اد وشت ی اػت. دس ػاختاس گشافي د تا ذ اكلی دس عیف ساهاى ها ذ هیؿ د. تا ذ G cm تا پی ذ دس فشوا غ 1582 و هشت ط ت لشصؽ دس كفح اتن ای وشتي 2 sp اػت تا ذ 2D دس فشوا غ 2700 cm و هخل تاسص ػاختاس ای حلم ای ؿىل وشتي اػت. دس ػاختاس ای گشاف ی حا ی ػی ب دس ػاختاس یا دس لث ای الی ای گشافي د تا ذ دیگش دس فشوا غ ای 1350 cm )تا ذ 2950cm )D )تا ذ حض س ایي د تا ذ دس عیف ساهاى ''D( ها ذ هیؿ د. و ای گشاف ی خ د ػیة دس ػاختاس الی ا سا تاییذ هیو ذ= 14 >. دس عیف گشافي ها ذ تا ذ دیگشی دس فشوا غ 1620 cm )تا ذ 'D( هیت ا ذ وای ذ ای اص ػی ب دس ػاختاس تاؿذ و هؼو ال دس ػاختاس ای ا وشیؼتالی ها ذ هیؿ د. تا ذ دس * G ضؼیف 2450 cm گشافي ؼثت داد ؿذ اػت= 14 یض ت ػی ب دس ػاختاس 15>. هحذ د فشوا غ ای روش ؿذ ت اػتفاد اص لیضس تا ع ل ه ج 514 nm هشت ط هیؿ د. فشوا غ د تا ذ 2D D تا افضایؾ دس ع ل ه ج لیضس ت ییح ساهاى وا ؾ هییات ذ. ایي وا ؾ تشای ایي د تا ذ ت تشتیة تشاتش 50 cm 1- /ev 100 cm /ev G تا ذ اػت. تغییش دس ا شطی لیضس تغییش ویو ذ= 15 >. دس ػاختاس گشافیتی تا 5 ؿىل عیف ساهاى پ ؿؾ وشت ی ایداد ؿذ ت س ؽ پالػوای الىتش لیتی سا دس د صهاى فشای ذ یه پ ح دلیم اى هید ذ. تشای تشسػی تیؾتش ایي تایح عیف ساهاى دس د و تا ووه د تاتغ گ ػیي ؿؾ تاتغ ل س تضیي تغثیك داد ؿذ اػت و تایح هشت ع دس خذ ل 1 اسائ ؿذ اػت. تایح افض ى تش حض س تا ذ ای cm ( D' )1584 cm ( G 1 )1335 cm ( D 1 D'' )2670 cm ( 2D )2488 cm ( G * )1615 ( cm 2917( و تا تاتغ ل س تضیي تغثیك داد ؿذ ا ذ د تا ذ دیگش دس فشوا غ ای 1485 cm 1270 cm سا اى هید ذ و ت تشتیة ت ػ اى G 2 D 2 اهگزاسی ؿذ تا و داس گ ػیي تغثیك داد ؿذ ا ذ. ت ا ت تایح اسائ ؿذ ت ػظ ػایش هحمماى ایي د تا ذ تا پ ای تیؾتش اص ػایش تا ذ ا هیت ا ذ ت دلیل پیچیذگی ای ػاختاسی وشتي ای تی ظن دس ػاختاس گشافي حض س گش ای ػاهلی یا خ د ػاختاس تا اتؼاد ا تاؿ ذ =18-16>. ت اتشایي تا ت خ ت تایح عیف ػ دی ساهاى )خذ ل تلا یش FESEM )1 4( )ؿىل ػاختاس ای گشاف ی دس پ ؿؾ وشت ی پی تشد. هیت اى ت حض س تؼذاد الی ای گشاف ی ت ن چؼثیذ دس ػاختاس تا اػتفاد اص ؿذت ؿىل هىاى پ ای تا ذ دس هیا ؿذت (FWHM) 14 دس تا ذ 2D لاتل تخویي اػت. هغالؼات اسائ ؿذ تاو ى اى داد اػت و اگش تا ذ دس 2D عیف ساهاى لاتل تغثیك تا یه چ اس ؿؾ یا د تاتغ ل س تضیي تاؿذ ت تشتیة هشت ط ت گشافي تا یه د ػ الی یا گشافیت اػت= 14 >. ایي تایح هشت ط ت صها ی اػت و چی ؾ الی ای گشاف ی دس ساػتای هح س ه ظن تاؿذ. دس غیش ایي c ك ست ػاختاس گشافیت ت ست اػتشاتیه تىیل هیؿ د و تا ذ 2D دس ایي ػاختاس یض تا یه و داس تغثیك داد هیؿ د. تا ت خ ت ػشیغ اگ ا ی ت دى فشای ذ پالػوای الىتش لیتی دس تىیل الی ای گشاف ی هیت اى تید گشفت و ػاختاس ایداد ؿذ ت ست اػتشاتیه اػت. تىیل ایي ػاختاس دس ت ی گشافي ت س ؽ CVD یضگضاسؽ ؿذ اػت =19>. 14- Full Width at Half Maximum

فیلم واو يرق ای گرافىی ب ريش رس ب پالسمای الکتريلیتی 78 ؿىل 5- عیف ساهاى تغثیك ؿذ دس و ای ا سق گشافي سػ ب داد ؿذ تش صیشالی یىل دس صهاى فشای ذ )الف( 1 دلیم )ب( 5 دلیم خذ ل 1- هحل ؿذت تا ذ ای عیف ساهاى پغ اص تغاتك تا و داس گ ػیي ل س تضیي و و 1 و 2 و 1 )785nm( )633nm( )633nm( 0/10 0/34 0/42 I 2D /I G 1/87 1/05 1/25 I D /I G 20 21 21 FWHM G (cm ) 50 44 50 FWHM 2D (cm ) 1587 1584 1584 فشوا غ( (cm G 1313 1333 1335 فشوا غ( (cm D 2626 2666 2670 فشوا غ (cm )2D

15 مجل م اد و يه/ جلد 7 /شمار 2/ زمستان 5931 دس ایي ػاختاس ا تشای تخیق تؼذاد الی ای گشافي تایذ اص ؼثت ؿذت تا ذ 2D ت تا ذ G اػتفاد و د. الثت تایذ ت خ وشد و ع ل ه ج لیضس ت ییح ساهاى افض ى تش تغییش دس فشوا غ تشخی اص تا ذ ا و لثال روشؿذ تش ؿذت آى ا یض ه ثش اػت. تشای دسن ایي تفا ت ػال تش لیضس تا ع ل ه ج 633 nm اص ع ل ه ج لیضس 785 nm یض تشای تشسػی ػاختاس و 1 اػتفاد ؿذ. ؿىل 6 عیف ساهاى ایي د و سا اى هی د ذ خضئیات آى دس خذ ل 1 اسائ ؿذ اػت. ها ذ هیؿ د و تا تغییش ع ل ه ج اص 785 ت 633 ا هتش ؿذت تا ذ 2D ت G چ اس تشاتش ؿذ اػت. افضایؾ دس ؿذت تا ذ ای ساهاى دس پشاو ذگی هشتث ا ل ها ذ تا ذ ای G D وا ؾ دس ؿذت تا ذ ا دس پشاو ذگی هشتث د م ها ذ تا ذ ای ''D 2D ه دش ت ایي تغییش دس ؼثت ؿذت تا ذ ا افضایؾ احتوال اؿتثا دس تؼییي تؼذاد الی ای گشافي هیؿ د. اپذیذ ؿذى تا ذ ''D دس عیف ساهاى و 1 تا ع ل ه ج ت ییح ساهاى 785 ا هتش ت ویي دلیل اػت. ت اتشایي تشای همایؼ ؼثت ؿذت تا ذ ا دس عیف ساهاى و 1 تا ػایش گضاسؿات اسائ ؿذ = 19 20> ت خ ت تؼییي تؼذاد الی ا تا اػتفاد اص ؿذت تا ذ 2D تایذ ت ایي هغلة ت خ و د. اعالػات اسائ ؿذ دس خذ ل تغییش دس فشوا غ تا ذ ای 2D D سا یض تا تغییش ع ل ه ج لیضس ساهاى اى هید ذ. ؿىل 6- تاثیش ع ل ه ج لیضس 785 633 ا هتش تش عیف ساهاى پ ؿؾ ا سق گشافي آى دس هدو ع تا تشسػی تایح ساهاى و 1 همایؼ تا واس ای ا دام ؿذ تاو ى= 19 <20 هیت اى دسیافت و پ ؿؾ گشاف ی تىیل ؿذ ت ایي س ؽ گشافي ون الی ت ست اػتشاتیه تا حذاوثش تؼذاد الی 10 اػت. تا افضایؾ دس صهاى فشای ذ پ ؿؾد ی ؼثت ؿذت تا ذ 2D ت تا ذ G وا ؾ هییاتذ و هیت ا ذ ت دلیل افضایؾ دس ضخاهت پ ؿؾ تاؿذ. نچ یي ؼثت ؿذت G ت D تا ذ وا ؾ هییاتذ و اىد ذ وا ؾ دس ػی ب ػاختاسی یا افضایؾ دس وشیؼتالی گشافي ا ذاص اػت. ایي وا ؾ دس ػی ب سا هیت اى ت افضایؾ دها تا افضایؾ صهاى فشای ذ ؼثت داد. تا خ د تشخ سد ی ى ای یذس ط ی تیؾتش ت پ ؿؾ دس صهاى ع ال یتش فشای ذ و ه دش ت افضایؾ دس پی ذ ای 3 هیؿ د= 21 > دهای sp تاالتش صیشالی هیت ا ذ ػی ب ػاختاسی سا ون وشد اهىاى سؿذ وشیؼتالی سا فشا ن و ذ. نتیجهگیری دس ایي پظ ؾ پ ؿؾ ا سق ای گشافي تش صیشالی یىل ت س ؽ پالػوای الىتش لیتی واتذی دس هحل ل اتا ل ت ی ویفیت ایي ػاختاس تا اػتفاد اص عیفػ دی ساهاى تشسػی ؿذ. عیف ساهاى ایي و حا ی تا ذ ای * G G 2D ت د. 2 د صیشتا ذ D 2 D'' D' G 1 D 1 ؼثت ؿذت تا ذ 2D ت G ؿىل تا ذ 2D دس عیف ساهاى ایي و ا ت ست اػتشاتیه تا حض س حذاوثش ایداد ایي ػاختاس دس صهاى تؼیاس تىیل ا سق ای گشاف ی 10 الی سا تاییذ وشد. و تا یه دلیم تا اػتفاد اص تد یضات اسصاى اص هضایای ایي س ؽ اػت. تشسػی فشای ذ دس د صهاى یه پ ح دلیم افضایؾ تؼذاد الی ای گشافي وا ؾ دس ػی ب ػاختاسی سا تا افضایؾ دس صهاى فشای ذ نصهاى تا افضایؾ ضخاهت پ ؿؾ اى داد. اص آ دا و ؼثت ؿذت تا ذ دس تؼییي G ت 2D تؼذاد الی ای گشافي مؾ اػاػی سا ایفا هیو ذ تشسػی اثش ع ل ه ج لیضس تش ؿذت ایي تا ذ ا دس عیف ساهاى تا تشسػی پ ؿؾ دس د ع ل ه ج 785 633 ا هتش ا دام ؿذ و ه یذ وا ؾ دس I 2D I/ G تا افضایؾ دس ع ل ه ج ت ییح ساهاى ت د.

فیلم واو يرق ای گرافىی ب ريش رس ب پالسمای الکتريلیتی 72 References: 1- T. Zhang, Q. Xue, S. Zhang, M. Dong, Theoretical Approaches to Graphene and Graphene-based Materials, Nano Today, vol. 7, pp. 180-200, 2012. 2- W. Choi, I. Lahiri, R. Seelaboyina, Y. S. Kang, Synthesis of Graphene and Its Applications: A Review, Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, vol. 35, pp. 52-71, 2010. 3- S. K. Jerng, D. S. Yu, Y. S. Kim, J. Ryou, S. Hong, C. Kim, S. Yoon, D. K. Efetov, P. Kim, S. H. Chun, Nanocrystalline Graphite Growth on Sapphire by Carbon Molecular Beam Epitaxy, Journal of Physical Chemistry C, vol. 115, pp. 4491-4494, 2011. 4- S. Park, R. S. Ruoff, Chemical Methods for the Production of Graphenes, Nature Nanotechnology, 2009, doi: 10.1038/nnano.2009.58. ػوا كاحثیاى ػمی ػیذ هدتثی صتشخذ خلیل حذتی خاوی آ ذسال التشصی "تضییي ا ل ل ای وشت ی -5 تا ا رسات یىل ت س ؽ ؿیوی تش تشسػی خ اف هغ اعیؼی آى" هدل ه اد یي خلذ 5 ؿواس 3 ف.1394 12211 6- M. Mao, M. Wang, J. Hu, G. Lei, S. Chen, H. Liu, Simultaneous Electrochemical Synthesis of Few-Layer Graphene Flakes on Both Electrodes in Liquids, Chemistry Protic Ionic Communication, vol. 49, pp. 5301-5303, 2013. 7- L. Huang, B. Wu, J.Chen, Y. Xue, D. Geng, Y. Guo, G. Yu, Y. Liu, Gram- Scale Synthesis of Graphene Sheets by a Catalytic Arc-Discharge Method, Small, vol. 9, pp. 1330335, 2013. 8- J. H. Kim, E. J. D. Castro, Y. G. Hwang, C. H. Lee, Synthesis of Few-layer Graphene on a Ni Substrate by Using DC Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE-CVD), Journal of the Korean Physical Society, vol. 58, pp. 53-57, 2011. 9 -D.V. Thanh, H. C. Chen, L. J. Li, C. W. Chu, K. H. Wei, Plasma Electrolysis Allows the Facile and Efficient Production of Graphite Oxide from Recycled Graphite, RSC Advanced, vol. 3, pp. 174027410, 2013. 10- S. Kim, R. Sergiienko, E. Shibata, Y. Hayasaka, T. Nakamura, Production of Graphite Nanosheets by Low-Current Plasma Discharge in Liquid Ethanol, Materials Transactions, Vol. 51, pp. 1455-1459, 2010. 11- S. J. An, Y. Zhu, S. H. Lee, M. D. Stoller, T. Emilsson, S. Park, A. Velamakanni, J. An, R. S. Ruoff, Thin Film Fabrication and Simultaneous Anodic Reduction of Deposited Graphene Oxide Platelets by Electrophoretic Deposition, Journal of Physical Chemistry Letters, vol. 1, pp. 1259 1263, 2010. 12- A. L. Yerokhin, X. Nie, A. Leyland, A. Matthews, S. J. Dowey, Plasma Electrolysis for Surface Engineering, Surface and Coatings Technology, vol. 122, pp. 73-93, 1999. 13- T. Paulmier, J.M. Bell, P.M. Fredericks, Deposition of Nanocrystalline Graphite Films by Cathodic Plasma Electrolysis, Thin Solid Films, vol. 515, pp. 2926-2934, 2007. 14- L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Raman Spectroscopy in Graphene, Physics Reports, vol. 473, pp. 51-87, 2009. 15- A.C. Ferrari, Determination of Bonding in Diamond-like Carbon by Raman Spectroscopy, Diamond and Related Materials, vol. 11, pp. 1053061, 2002.

19 مجل م اد و يه/ جلد 7 /شمار 2/ زمستان 5931 16- N. Shimodaira, A. Masui, Raman Spectroscopic Investigations of Activated Carbon Materials, Journal of Applied Physics, vol. 92, pp. 902-909, 2002. 17- A. C. Ferrari, J. Robertson, Raman Spectroscopy of Amorphous, Nanostructured, Diamond-like Carbon, and Nanodiamond, Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, vol. 362, pp. 2477-2512, 2004. 18- M. Mowry, D. Palaniuk, C. C. Luhrs, S. Osswald, In Situ Raman Spectroscopy and Thermal Analysis of the Formation of Nitrogen-doped Graphene from Urea and Graphite Oxide, RSC Advanced, vol. 3, pp. 21763-21775, 2013. 19- D. R. Lenski, M. S. Fuhrer, Raman and Optical Characterization of Multilayer Turbostratic Graphene Grown via Chemical Vapor Deposition, Journal of Applied Physics, vol. 110, pp. 013720, 2011. 20- A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, Large Area, Few-Layer Graphene Films on Arbitrary Substrates by Chemical Vapor Deposition, Nano Letters, vol. 9, pp. 30-35, 2009. 21- A. H. C. Sirk, D. R. Sadoway, Electrochemical Synthesis of Diamondlike Carbon Films, Journal of The Electrochemical Society, vol. 155, pp. 49-55, 2008.

78 فیلم واو يرق ای گرافىی ب ريش رس ب پالسمای الکتريلیتی